收藏本站
New Product
Si2305ADS
Vishay Siliconix
P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.040 at V GS = - 4.5 V
0.060 at V GS = - 2.5 V
I D (A)
- 4.1
- 3.4
Q g (Typ.)
7.8 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
0.088 at V GS = - 1.8 V
- 2.0
APPLICATIONS
? Load Switch
? DC/DC Converter
TO-236
(SOT-23)
G
S
1
2
Top V ie w
Si2305ADS (5A)*
* Marking Code
3
D
G
S
D
Orderin g Information: Si2305ADS-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si2305ADS-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
- 5.4
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 4.3
- 4.1 a, b
- 3.3 a, b
- 10
- 1.4
- 0.8 a, b
1.7
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.1
0.96 a, b
W
T A = 70 °C
0.62 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
T J , T stg
- 50 to 150
260
°C
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 10 s.
Document Number: 69940
S09-0538-Rev. D, 06-Apr-09
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
SI2305DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2307BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SI2307CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI2308BDS-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
SI2312BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
SI2315BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
相关代理商/技术参数
SI2305ADS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2305CDS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
SI2305CDS_13 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET
Si2305CDS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 5.8A 1.7W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2305DS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFET
SI2305DS-T1 功能描述:MOSFET 8V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2305DS-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2305DST1-E3 制造商:International Rectifier 功能描述: